Справочник транзисторов. FTC1008

 

Биполярный транзистор FTC1008 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTC1008
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для FTC1008

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC1008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  first silicon
 ftc1008.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTORFTC1008TECHNICAL DATATO 92 FTC1008 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER2. BASE FEATURES 3. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 700 mA PC Col

 9.1. Size:329K  first silicon
 ftc1027.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTORFTA1027TECHNICAL DATAFTC1027 TRANSISTOR (NPN) BFEATURES Complementary to FTA1023 High Voltage Applications EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) B 5.1 MAXC 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYP F 1.27 TYPG 2.54 TYPFH 14.20 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) GJ 0.45 MAX L 4.10 MAX Symbol

Другие транзисторы... FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , FTB649A , FTB772 , FTB772D , FTB772F , FTB834 , 2N5401 , FTC1027 , FTC1318 , FTC1675 , FTC1815 , FTC2316 , FTC2328A , FTC2330 , FTC2383 .

History: 2SA2219 | 2SA1235

 

 
Back to Top

 


 
.