FTC1008 - описание и поиск аналогов

 

FTC1008. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTC1008

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для FTC1008

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC1008 даташит

 ..1. Size:172K  first silicon
 ftc1008.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTOR FTC1008 TECHNICAL DATA TO 92 FTC1008 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. BASE FEATURES 3. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 700 mA PC Col

 9.1. Size:329K  first silicon
 ftc1027.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTOR FTA1027 TECHNICAL DATA FTC1027 TRANSISTOR (NPN) B FEATURES Complementary to FTA1023 High Voltage Applications E DIM MILLIMETERS A 8.2 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) B 5.1 MAX C 1.58 MAX D 0.55 MAX E 0.7 TYP F 1.27 TYP G 2.54 TYP F H 14.20 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) G J 0.45 MAX L 4.10 MAX Symbol

Другие транзисторы... FTB1412 , FTB1424 , FTB5240 , FTB649A , FTB772 , FTB772D , FTB772F , FTB834 , C945 , FTC1027 , FTC1318 , FTC1675 , FTC1815 , FTC2316 , FTC2328A , FTC2330 , FTC2383 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.