FTC1008 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FTC1008  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FTC1008

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTC1008 даташит

 ..1. Size:172K  first silicon
 ftc1008.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTOR FTC1008 TECHNICAL DATA TO 92 FTC1008 TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER 2. BASE FEATURES 3. COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 8 V IC Collector Current 700 mA PC Col

 9.1. Size:329K  first silicon
 ftc1027.pdf pdf_icon

FTC1008

SEMICONDUCTOR FTA1027 TECHNICAL DATA FTC1027 TRANSISTOR (NPN) B FEATURES Complementary to FTA1023 High Voltage Applications E DIM MILLIMETERS A 8.2 MAX D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) B 5.1 MAX C 1.58 MAX D 0.55 MAX E 0.7 TYP F 1.27 TYP G 2.54 TYP F H 14.20 MAX MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) G J 0.45 MAX L 4.10 MAX Symbol

Другие транзисторы: FTB1412, FTB1424, FTB5240, FTB649A, FTB772, FTB772D, FTB772F, FTB834, 2N3904, FTC1027, FTC1318, FTC1675, FTC1815, FTC2316, FTC2328A, FTC2330, FTC2383