FTD1781K Todos los transistores

 

FTD1781K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1781K
   Código: AFR_AFQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

FTD1781K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  first silicon
 ftd1781k.pdf pdf_icon

FTD1781K

SEMICONDUCTORFTD1781KTECHNICAL DATAMedium Power Transistor(32V, 0.8A)Features31) Very low VCE(sat).VCE(sat) 0.4 V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compactpackage. SOT 23 3) Complements the FTB1197K4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.StructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor C

 9.1. Size:307K  first silicon
 ftd1760.pdf pdf_icon

FTD1781K

SEMICONDUCTORFTD1760TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A ICJFEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: AD153Y | 2SA1437 | BDS18SM | BUL742C | 2N2335 | BDAP55 | BC838

 

 
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