Справочник транзисторов. FTD1781K

 

Биполярный транзистор FTD1781K Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FTD1781K
   Маркировка: AFR_AFQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для FTD1781K

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTD1781K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  first silicon
 ftd1781k.pdf pdf_icon

FTD1781K

SEMICONDUCTORFTD1781KTECHNICAL DATAMedium Power Transistor(32V, 0.8A)Features31) Very low VCE(sat).VCE(sat) 0.4 V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compactpackage. SOT 23 3) Complements the FTB1197K4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.StructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor C

 9.1. Size:307K  first silicon
 ftd1760.pdf pdf_icon

FTD1781K

SEMICONDUCTORFTD1760TECHNICAL DATA FTD1760 TRANSISTOR (NPN) A ICJFEATURES Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) Complements the FTB1184. DIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2D 1 50 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0

Другие транзисторы... FTC9012S , FTC9013S , FTC945B , FTD1304 , FTD1499 , FTD1616A , FTD1624 , FTD1760 , 13005 , FTD1898 , FTD1899 , FTD2058 , FTD2058F , FTD2097 , FTD2098 , FTD2114K , FTD2118 .

History: 2SB1386-P | MMBTSC1623L | FMMT591DCSM

 

 
Back to Top

 


 
.