A966O Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A966O 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO92L
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A966O datasheet
a966o a966y.pdf
A966 PNP silicon APPLICATION Audio Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -30 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V TO-92L 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2. Collector 3. Base Collector current IC -1.5 A Collector Power Dissipation PC 900 mW Junc
Otros transistores... MJE13002B, MJE13003A, MJE13003I, MJE13003T, MJE13005T, MMBTA42F, MMBTA92F, MMBTH10Q, 2SB649, A966Y, DDA124EK, DDA144EK, DDA114YK, DDA123JK, DDA114EK, DDA143TK, DDA114TK
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
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BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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