B772PC Todos los transistores

 

B772PC . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B772PC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO252 TO251
 

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B772PC Datasheet (PDF)

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RB772PC www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si PNP RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 222FEATURES 2

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RB772PC www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si PNP RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 2222FEATURES 2

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RB772P www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si PNP RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerEmergency lamp and Electric toy control circuit 222FEATURES 2

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B772PC

D882AO3400SI2305B772PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Collector Current 3 A-ICPPea

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History: 2SC3819 | PET2002

 

 
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