BU3150AF Todos los transistores

 

BU3150AF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU3150AF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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BU3150AF Datasheet (PDF)

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RBU3150AF www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 H

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N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R HBU3150A BU3150 Ta=25 TO-220 Tstg -65~150T

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TEL0755-29799516FAX0755-29799515Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Http://www.jdsemi.cnBU3150 NPN

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RBU3150T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 Hi

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History: DRC2124T | UN1214

 

 
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