BU3150AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU3150AF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BU3150AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU3150AF даташит

 ..1. Size:115K  jdsemi
bu3150af.pdfpdf_icon

BU3150AF

R BU3150AF www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 H

 7.1. Size:272K  shantou-huashan
hbu3150a.pdfpdf_icon

BU3150AF

 8.1. Size:78K  shenzhen
bu3150.pdfpdf_icon

BU3150AF

TEL 0755-29799516 FAX 0755-29799515 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Http //www.jdsemi.cn BU3150 NPN

 8.2. Size:113K  jdsemi
bu3150t.pdfpdf_icon

BU3150AF

R BU3150T www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES 2 Hi

Другие транзисторы: BU103BH, BU103DH, BU13003D, BU13003F, BU202ADL, BU202DL, BU203DL, BU206DL, D882P, BU3150BF, BU3150F, BU3150F-A, BU3150T, BU5027A, BU5027AF, BU5027S, BU6084B