H13003 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H13003 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W
Tensión colector-base (Vcb): 650 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO126D TO126
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H13003 datasheet
ksh13003.pdf
KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR D-PAK D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix) 1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix) 1. Base 2. Collector 3. Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit I-PAK
h13003h.pdf
R H13003H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES
Otros transistores... DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, DK55A, DK55ED, DK55SD, E13005SDL, 2N3906, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL, H13003H, H13005, H13005ADL
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 3866SF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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