H13003 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: H13003  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 650 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126D TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для H13003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H13003 даташит

 ..1. Size:114K  jdsemi
 h13003.pdf pdf_icon

H13003

 ..2. Size:114K  jdsemi
 h13003 2.pdf pdf_icon

H13003

 0.1. Size:23K  samsung
 ksh13003.pdf pdf_icon

H13003

KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR D-PAK D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix) 1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix) 1. Base 2. Collector 3. Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit I-PAK

 0.2. Size:111K  jdsemi
 h13003h.pdf pdf_icon

H13003

R H13003H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Charger Computer aided power and Switch-mode power supplies 2 2 2 FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DK53DL, DK53H, DK53TD, DK54DL, DK55A, DK55ED, DK55SD, E13005SDL, 2N3906, H13003AD, H13003ADL, H13003AH, H13003D, H13003DL, H13003H, H13005, H13005ADL