3DD4530_A1-H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD4530_A1-H 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 900 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO92
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3DD4530_A1-H datasheet
3dd4520 a6.pdf
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
Otros transistores... 3DD4515_A1, 3DD4515_A6, 3DD4518_A1D, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, BC558, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7, 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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