3DD4530_A1-H datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 3DD4530_A1-H 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 3DD4530_A1-H
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD4530_A1-H даташит
3dd4520 a6.pdf
NPN R 3DD4520 A6 3DD4520 A6 NPN VCEO 450 V IC 2 A Ptot Tc=25 50 W
Другие транзисторы: 3DD4515_A1, 3DD4515_A6, 3DD4518_A1D, 3DD4518_A3D, 3DD4518_A6D, 3DD4520_A3, 3DD4520_A4, 3DD4520_A6, BC558, 3DD4540_A3, 3DD4540_A7, 3DD4540_A9, 3DD4550_A4, 3DD6012_A6, 3DD6012_A1, 3DD741_A8, 3DG2482H_A1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945