2N655 Todos los transistores

 

2N655 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N655

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 2.5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 150

Empaquetado / Estuche: TO5

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2N655 Datasheet (PDF)

1.1. 2n6550.pdf Size:49K _update-mosfet

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1.2. 2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf Size:91K _central

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 

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Liste

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