2N655 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N655
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO5
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2N655 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N6542 , 2N6543 , 2N6544 , 2N6545 , 2N6546 , 2N6547 , 2N6548 , 2N6549 , 2SA1837 , 2N6551 , 2N6552 , 2N6553 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050