2N655 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N655
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N655
2N655 Datasheet (PDF)
0.2. Size:91K central
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
0.3. Size:1355K cn silicon billion
y2n655s.pdf
y2n655s.pdf
Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
Otros transistores... 2N6542 , 2N6543 , 2N6544 , 2N6545 , 2N6546 , 2N6547 , 2N6548 , 2N6549 , S8550 , 2N6551 , 2N6552 , 2N6553 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 .
