2N655 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N655
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 25 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de 2N655
2N655 Datasheet (PDF)
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
y2n655s.pdf

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
Otros transistores... 2N6542 , 2N6543 , 2N6544 , 2N6545 , 2N6546 , 2N6547 , 2N6548 , 2N6549 , 2SA1837 , 2N6551 , 2N6552 , 2N6553 , 2N6554 , 2N6555 , 2N6556 , 2N6557 , 2N6558 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726