2N655 Todos los transistores

 

2N655 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N655
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO5
 

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2N655 datasheet

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824 ... See More ⇒

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Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd. Y2N 655S 60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1) General Features Proprietary New Trench Technology Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=43m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Con... See More ⇒

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