2N655 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N655  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N655

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N655 даташит

 0.1. Size:49K  njs
 2n6550.pdf pdf_icon

2N655

 0.2. Size:91K  central
 2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf pdf_icon

2N655

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 0.3. Size:1355K  cn silicon billion
 y2n655s.pdf pdf_icon

2N655

Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd. Y2N 655S 60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1) General Features Proprietary New Trench Technology Ultra-low Miller Charge RDS(ON),typ.=43m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Con

Другие транзисторы: 2N6542, 2N6543, 2N6544, 2N6545, 2N6546, 2N6547, 2N6548, 2N6549, MJE340, 2N6551, 2N6552, 2N6553, 2N6554, 2N6555, 2N6556, 2N6557, 2N6558