Биполярный транзистор 2N655 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N655
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO5
2N655 Datasheet (PDF)
0.2. Size:91K central
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
2n6551 2n6552 2n6553 2n6554 2n6555 2n6556.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
0.3. Size:1355K cn silicon billion
y2n655s.pdf
y2n655s.pdf
Xiamen Silicon-top opto electronics Co.,Ltd.Y2N 655S60V 10A N-Channel MOSFET Power MOSFET (2 IN 1)General FeaturesProprietary New Trench TechnologyUltra-low Miller ChargeRDS(ON),typ.=43m@VGS=10VLow Gate Charge Minimize Switching LossFast Recovery Body DiodeApplicationsHigh efficiency DC/DC Con
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050