1165905 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1165905
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 60 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 160 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: TO204AA TO3
- Selección de transistores por parámetros
1165905 Datasheet (PDF)
1165905.pdf

1165905T-NPN, Si, darlington with base-emitter speedup diodeFeatures: Continuous collector current-IC = 60 AApplications:Switching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversAC and DC motor controlsDescription:TO-3The MJ10021 is a darlington transistor in a TO-3 type package designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: DDTD122LU | 3CD910 | BC413CP | LMUN5234T1G | LDTD114EET1G | BUP35 | FJC690
History: DDTD122LU | 3CD910 | BC413CP | LMUN5234T1G | LDTD114EET1G | BUP35 | FJC690



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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