1165905 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 1165905
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO204AA TO3
Аналоги (замена) для 1165905
1165905 - технические параметры
1165905.pdf
1165905 T-NPN, Si, darlington with base-emitter speedup diode Features Continuous collector current-IC = 60 A Applications Switching regulators Inverters Solenoid and relay drivers AC and DC motor controls Description TO-3 The MJ10021 is a darlington transistor in a TO-3 type package designed for high-voltage, high-speed, power switching in inductive circuits where fall time
Другие транзисторы... WT5651 , WT5652 , 13003 , 13003A , 13003C , 13003D , 13003E , 13003F , TIP122 , 3CA3505 , 3CA2505 , 3CA4505 , 3CA5322 , 3CA5323 , 3CA5679 , 3CA5680 , 3CA5781 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet


