Биполярный транзистор 1165905 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 1165905
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO204AA TO3
1165905 Datasheet (PDF)
0.1. 1165905.pdf 
Size:165K _no
1165905T-NPN, Si, darlington with base-emitter speedup diodeFeatures: Continuous collector current-IC = 60 AApplications:Switching regulatorsInvertersSolenoid and relay driversAC and DC motor controlsDescription:TO-3The MJ10021 is a darlington transistor in a TO-3 type package designed for high-voltage,high-speed, power switching in inductive circuits where fall time
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
