3CA1012 Todos los transistores

 

3CA1012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CA1012
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 170 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CA1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  lzg
 2sa1012 3ca1012.pdf pdf_icon

3CA1012

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:186K  lzg
 2sa1011 3ca1011.pdf pdf_icon

3CA1012

2SA1011(3CA1011) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :100W Purpose: High voltage switching, AF power amplifier, 100W output predriver applications. : 2SC2344(3DA2344) Features: complementary pair with 2SC2344(3DA2344). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:109K  china
 3ca1072.pdf pdf_icon

3CA1012

3CA1072 PNP PCM Ta=25 120 W IC 12 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.05m 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 120 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 7 V ICBO VCB=120V 50 A IEBO VEB=7V 50 A ICEO VEB=120V 1.0 A IC=7.5A VCEsat 1.8 IB=1.5A V

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC337A-16 | 2SC2257A | TV37

 

 
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