3CA1012 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CA1012
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 170 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CA1012
3CA1012 Datasheet (PDF)
2sa1012 3ca1012.pdf
2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
2sa1011 3ca1011.pdf
2SA1011(3CA1011) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :100W Purpose: High voltage switching, AF power amplifier, 100W output predriver applications. : 2SC2344(3DA2344) Features: complementary pair with 2SC2344(3DA2344). /Absolute maximum ratings(Ta=25)
3ca1072.pdf
3CA1072 PNP PCM Ta=25 120 W IC 12 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.05m 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 120 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 7 V ICBO VCB=120V 50 A IEBO VEB=7V 50 A ICEO VEB=120V 1.0 A IC=7.5A VCEsat 1.8 IB=1.5A V
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050