Справочник транзисторов. 3CA1012

 

Биполярный транзистор 3CA1012 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CA1012
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3CA1012

 

 

3CA1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  lzg
2sa1012 3ca1012.pdf

3CA1012 3CA1012

2SA1012(3CA1012) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High current switching applications. ,, 2SC2562(3DA2562) Features: Low collector saturation voltage, high speed switching time, complementary to 2SC2562(3DA2562). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:186K  lzg
2sa1011 3ca1011.pdf

3CA1012 3CA1012

2SA1011(3CA1011) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :100W Purpose: High voltage switching, AF power amplifier, 100W output predriver applications. : 2SC2344(3DA2344) Features: complementary pair with 2SC2344(3DA2344). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:109K  china
3ca1072.pdf

3CA1012

3CA1072 PNP PCM Ta=25 120 W IC 12 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.05m 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 120 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 7 V ICBO VCB=120V 50 A IEBO VEB=7V 50 A ICEO VEB=120V 1.0 A IC=7.5A VCEsat 1.8 IB=1.5A V

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top