STP5508 Todos los transistores

 

STP5508 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5508
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 600 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO3 TO204AE
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP5508 Datasheet (PDF)

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STP5508

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR STP5508 Hermetic Metal TO3 Package. High Current Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 140V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEB Emitter Base Voltage 6V IC Continuous Collector Current 50A ICM Peak Collector Current 100A I

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STP5508

STB55NF06 - STB55NF06-1STP55NF06 - STP55NF06FPN-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB55NF06 60V

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STP5508

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STP5508

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FPN-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET inDPAK, TO-220 and TO-220FP packagesDatasheet production dataFeaturesTABTABOrder code VDSS RDS(on) max. IDSTB55NF06350 A3 1STP55NF06 60 V

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