STP5508 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP5508

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 600 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO3 TO204AE

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STP5508 datasheet

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STP5508

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR STP5508 Hermetic Metal TO3 Package. High Current Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 140V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEB Emitter Base Voltage 6V IC Continuous Collector Current 50A ICM Peak Collector Current 100A I

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STP5508

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

 9.2. Size:341K  st
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STP5508

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 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP5508

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP N-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet production data Features TAB TAB Order code VDSS RDS(on) max. ID STB55NF06 3 50 A 3 1 STP55NF06 60 V

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