STP5508. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5508

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3 TO204AE

 Аналоги (замена) для STP5508

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STP5508 даташит

 ..1. Size:183K  semelab
 stp5508.pdf pdf_icon

STP5508

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR STP5508 Hermetic Metal TO3 Package. High Current Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 140V VCEO Collector Emitter Voltage 120V VEB Emitter Base Voltage 6V IC Continuous Collector Current 50A ICM Peak Collector Current 100A I

 9.1. Size:541K  st
 stb55nf06 stb55nf06-1 stp55nf06 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP5508

STB55NF06 - STB55NF06-1 STP55NF06 - STP55NF06FP N-channel 60V - 0.015 - 50A - D2PAK/I2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB55NF06 60V

 9.2. Size:341K  st
 stp55n05l stp55n05lfi.pdf pdf_icon

STP5508

 9.3. Size:793K  st
 stb55nf06t4 stp55nf06fp.pdf pdf_icon

STP5508

STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP N-channel 60 V, 0.015 , 50 A STripFET II Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet production data Features TAB TAB Order code VDSS RDS(on) max. ID STB55NF06 3 50 A 3 1 STP55NF06 60 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SBW13009O, SBW13009S, SBW3320, SBW3320W, STN0214, STN2580, STN826, STN9360, TIP122, STR1550, STR2550, STT13005D, STU13005N, STW2040, STX117, STX13004, LB120A