RN1211 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RN1211
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de RN1211
RN1211 datasheet
rn1210 rn1211.pdf
RN1210,RN1211 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1210,RN1211 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2210 and RN2211 Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (Ta =
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History: 2N3439S
History: 2N3439S
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Liste
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