RN1211 - описание и поиск аналогов

 

RN1211. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1211

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для RN1211

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1211 даташит

 ..1. Size:275K  toshiba
 rn1210 rn1211.pdf pdf_icon

RN1211

RN1210,RN1211 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1210,RN1211 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2210 and RN2211 Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (Ta =

Другие транзисторы... STA406A , STA408A , STA412A , STA413A , STA421A , STA431A , STA434A , RN1210 , BC639 , RN2201 , RN2202 , RN2203 , RN2204 , RN2205 , RN2206 , 3DA1360 , 3DA1360A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.