3DA3421 Todos los transistores

 

3DA3421 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA3421
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO126F TO225F
 

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3DA3421 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  foshan
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3DA3421

2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : V 60-80W 2SA13583CA1358 CEO Features: High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEOto 2SA1358(3CA1358). /Absolute

 8.1. Size:149K  foshan
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3DA3421

2SC3422(3DA3422) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: Audio frequency power amplifier, low speed switching. 5W h 2SA1359(3CA1359) FEFeatures: Suitable for output stage of 5 watts car radio and car stereo, good linearity of h , FE compleme

 8.2. Size:168K  foshan
 2sc3420 3da3420.pdf pdf_icon

3DA3421

2SC3420(3DA3420) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Storobo flash applications, medium power amplifier applications. :,, Features: High DC current gain, low saturation voltagehigh collector power dissipation. /Absolute ma

 9.1. Size:112K  china
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3DA3421

3DA340 NPN PCM TC=25 15 W ICM 0.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 3.0 V ICBO VCB=300V 0.1 mA IEBO VEB=3V 0.1 mA IC=100mA VCEsat 1.0 V IB=10mA VCE=10V hFE 30~240 IC=

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History: KT928V | 3N772GP

 

 
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