3DA3421 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA3421
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: TO126F TO225F
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3DA3421 datasheet
2sc3421 3da3421.pdf
2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier applications. V 60-80W 2SA1358 3CA1358 CEO Features High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEO to 2SA1358(3CA1358). /Absolute
2sc3422 3da3422.pdf
2SC3422(3DA3422) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier, low speed switching. 5W h 2SA1359(3CA1359) FE Features Suitable for output stage of 5 watts car radio and car stereo, good linearity of h , FE compleme
2sc3420 3da3420.pdf
2SC3420(3DA3420) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Purpose Storobo flash applications, medium power amplifier applications. , , Features High DC current gain, low saturation voltage high collector power dissipation. /Absolute ma
3da340.pdf
3DA340 NPN PCM TC=25 15 W ICM 0.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 3.0 V ICBO VCB=300V 0.1 mA IEBO VEB=3V 0.1 mA IC=100mA VCEsat 1.0 V IB=10mA VCE=10V hFE 30 240 IC=
Otros transistores... 3DA2073 , 3DA2073A , 3DA2275 , 3DA2275A , 3DA2344 , 3DA340 , 3DA3417 , 3DA3420 , S8550 , 3DA3422 , 3DA3502 , 3DA1 , 3DA2 , 3DA4 , 3DA10A , 3DA10B , 3DA10C .
History: 2SB1378 | 2SB1240 | 2SB1223 | 3DA2275A | 2SD1118
History: 2SB1378 | 2SB1240 | 2SB1223 | 3DA2275A | 2SD1118
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Liste
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