Биполярный транзистор 3DA3421 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DA3421
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO126F TO225F
- подбор биполярного транзистора по параметрам
3DA3421 Datasheet (PDF)
2sc3421 3da3421.pdf

2SC3421(3DA3421) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier applications. : V 60-80W 2SA13583CA1358 CEO Features: High V ,suitable for driver of 60 to 80 watts audio amplifier, complementary CEOto 2SA1358(3CA1358). /Absolute
2sc3422 3da3422.pdf

2SC3422(3DA3422) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: Audio frequency power amplifier, low speed switching. 5W h 2SA1359(3CA1359) FEFeatures: Suitable for output stage of 5 watts car radio and car stereo, good linearity of h , FE compleme
2sc3420 3da3420.pdf

2SC3420(3DA3420) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :, Purpose: Storobo flash applications, medium power amplifier applications. :,, Features: High DC current gain, low saturation voltagehigh collector power dissipation. /Absolute ma
3da340.pdf

3DA340 NPN PCM TC=25 15 W ICM 0.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 300 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 3.0 V ICBO VCB=300V 0.1 mA IEBO VEB=3V 0.1 mA IC=100mA VCEsat 1.0 V IB=10mA VCE=10V hFE 30~240 IC=
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: UN1116Q | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | BC846W | 2N6530
History: UN1116Q | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | BC846W | 2N6530



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305