3DA4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO3
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3DA4 datasheet
3da1 3da2 3da4.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA1, 3DA2, 3DA4 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97. QZJ840611A, QZJ840611 only for 3DA1.
3da4793.pdf
3DA4793(NPN) TO-220F Bipolar Transistors TO-220F 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3 Features Complementary to 3CA1837 Collector Power Dissipation PCM 2W (Tamb=25 ) 20 W (Tcase=25 ) Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 230 V VCEO Collector-Emitter Vo
Otros transistores... 3DA340 , 3DA3417 , 3DA3420 , 3DA3421 , 3DA3422 , 3DA3502 , 3DA1 , 3DA2 , A940 , 3DA10A , 3DA10B , 3DA10C , 3DA10D , 3DA10E , 3DA10F , 3DA10G , 3DA100A .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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