Биполярный транзистор 3DA4 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DA4
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для 3DA4
3DA4 Datasheet (PDF)
3da1 3da2 3da4.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA1, 3DA2, 3DA4 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97. QZJ840611A, QZJ840611 only for 3DA1.
3da4793.pdf

3DA4793(NPN)TO-220F Bipolar TransistorsTO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3Features Complementary to 3CA1837 Collector Power Dissipation PCM : 2W (Tamb=25) 20 W (Tcase=25) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 230 V VCEO Collector-Emitter Vo
Другие транзисторы... 3DA340 , 3DA3417 , 3DA3420 , 3DA3421 , 3DA3422 , 3DA3502 , 3DA1 , 3DA2 , B772 , 3DA10A , 3DA10B , 3DA10C , 3DA10D , 3DA10E , 3DA10F , 3DA10G , 3DA100A .
History: 2N1422
History: 2N1422



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor