3DA3209 Todos los transistores

 

3DA3209 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DA3209

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO92L

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3DA3209 datasheet

 ..1. Size:283K  foshan
 ktc3209 3da3209.pdf pdf_icon

3DA3209

 9.1. Size:146K  china
 3da325 2sd325.pdf pdf_icon

3DA3209

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB

 9.2. Size:214K  foshan
 2sc3279 3da3279.pdf pdf_icon

3DA3209

2SC3279(3DA3279) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power amplifier applications. Features High DC current gain and excellent h linearity, low saturation voltage. FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol

Otros transistores... 3DA150E , 3DA150F , 3DA150G , 3DA1573 , 3DA1573A , 3DA1846 , 3DA314 , 3DA3150 , 2SD669 , 3DA325 , 3DA3279 , 3DA3866 , 3DA8A , 3DA8B , 3DA8C , 3DA8D , 3DA8E .

 

 

 


 
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