Справочник транзисторов. 3DA3209

 

Биполярный транзистор 3DA3209 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DA3209
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92L
 

 Аналог (замена) для 3DA3209

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA3209 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  foshan
ktc3209 3da3209.pdfpdf_icon

3DA3209

KTC3209(3DA3209) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :,/Purpose: Power amplifier and switching applications. :,, KTA1281(3CA1281) Features: Low saturation voltage, high speed switching time, complementary to KTA1281(3CA1281). /Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:146K  china
3da325 2sd325.pdfpdf_icon

3DA3209

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB

 9.2. Size:214K  foshan
2sc3279 3da3279.pdfpdf_icon

3DA3209

2SC3279(3DA3279) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power amplifier applications. : Features: High DC current gain and excellent h linearity, low saturation voltage. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol

Другие транзисторы... 3DA150E , 3DA150F , 3DA150G , 3DA1573 , 3DA1573A , 3DA1846 , 3DA314 , 3DA3150 , BC549 , 3DA325 , 3DA3279 , 3DA3866 , 3DA8A , 3DA8B , 3DA8C , 3DA8D , 3DA8E .

 

 
Back to Top

 


 
.