3DA3209 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA3209  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA3209

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA3209 даташит

 ..1. Size:283K  foshan
 ktc3209 3da3209.pdf pdf_icon

3DA3209

 9.1. Size:146K  china
 3da325 2sd325.pdf pdf_icon

3DA3209

3DA325(2SD325) NPN PCM TC=25 1.75 W ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 71 /W IC=0.3A V(BR)CBO ICB=1mA 35 V V(BR)CEO ICE=1mA 35 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 0.1 A IEBO VCE=5.0V 1.0 A VBEsat 1.5 IC=1.5A V IB

 9.2. Size:214K  foshan
 2sc3279 3da3279.pdf pdf_icon

3DA3209

2SC3279(3DA3279) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power amplifier applications. Features High DC current gain and excellent h linearity, low saturation voltage. FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol

Другие транзисторы: 3DA150E, 3DA150F, 3DA150G, 3DA1573, 3DA1573A, 3DA1846, 3DA314, 3DA3150, 2SD669, 3DA325, 3DA3279, 3DA3866, 3DA8A, 3DA8B, 3DA8C, 3DA8D, 3DA8E