3DA8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA8D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO276AB
- Selección de transistores por parámetros
3DA8D Datasheet (PDF)
3da8a 3da8b 3da8c 3da8d 3da8e.pdf

3DA8 NPN A B C D E PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=15mA 120 150 180 200 250 V V(BR)CEO ICE=15mA 80 120 150 180 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 mA ICEO VCE
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: DDTD113ZU | HN1B04F | 2SC941 | ET5253 | BUS23A
History: DDTD113ZU | HN1B04F | 2SC941 | ET5253 | BUS23A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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