3DA8E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA8E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO276AB
Búsqueda de reemplazo de 3DA8E
3DA8E Datasheet (PDF)
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3DA8 NPN A B C D E PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=15mA 120 150 180 200 250 V V(BR)CEO ICE=15mA 80 120 150 180 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 mA ICEO VCE
Otros transistores... 3DA3209 , 3DA325 , 3DA3279 , 3DA3866 , 3DA8A , 3DA8B , 3DA8C , 3DA8D , 2SD1555 , 3DA80A , 3DA80B , 3DA80C , 3DA87A , 3DA87B , 3DA87C , 3DA87D , 3DA882 .



Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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