3DA8E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA8E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO276AB

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA8E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA8E даташит

 ..1. Size:134K  china
 3da8a 3da8b 3da8c 3da8d 3da8e.pdf pdf_icon

3DA8E

3DA8 NPN A B C D E PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.5 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=15mA 120 150 180 200 250 V V(BR)CEO ICE=15mA 80 120 150 180 200 V V(BR)EBO IEB=10mA 5.0 V ICBO VCB=30V 1.0 mA ICEO VCE

Другие транзисторы: 3DA3209, 3DA325, 3DA3279, 3DA3866, 3DA8A, 3DA8B, 3DA8C, 3DA8D, S9018, 3DA80A, 3DA80B, 3DA80C, 3DA87A, 3DA87B, 3DA87C, 3DA87D, 3DA882