3DA80C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DA80C  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de 3DA80C

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DA80C datasheet

 9.1. Size:24K  shaanxi
 3da80.pdf pdf_icon

3DA80C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA80 NPN Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

Otros transistores... 3DA3866, 3DA8A, 3DA8B, 3DA8C, 3DA8D, 3DA8E, 3DA80A, 3DA80B, D882P, 3DA87A, 3DA87B, 3DA87C, 3DA87D, 3DA882, 3DA96A, 3DA96B, 3DA96C