3DA882 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA882
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO126
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3DA882 datasheet
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 3DA882 TRANSISTOR (NPN) TO 126 FEATURES 1. BASE Low Speed Switching Complement to 3CA772 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-
3da882.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DA882 DESCRIPTION High Collector Current-I = 3.0A C Low Saturation Voltage - V = 0.5V(Max)@ I = 2.0A, I = 0.2A CE(sat) C B Good Linearity of h FE Complement to Type 3CA772 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suited for the output stage of 3 watts audio amplifier, voltage reg
Otros transistores... 3DA8E , 3DA80A , 3DA80B , 3DA80C , 3DA87A , 3DA87B , 3DA87C , 3DA87D , D667 , 3DA96A , 3DA96B , 3DA96C , 3DA3902 , 3DA3942 , 3DA4002 , 3DA5A , 3DA5B .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569