3DA882 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA882  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA882

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA882 даташит

 ..1. Size:106K  jiangsu
 3da882.pdf pdf_icon

3DA882

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors 3DA882 TRANSISTOR (NPN) TO 126 FEATURES 1. BASE Low Speed Switching Complement to 3CA772 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
 3da882.pdf pdf_icon

3DA882

isc Silicon NPN Power Transistor 3DA882 DESCRIPTION High Collector Current-I = 3.0A C Low Saturation Voltage - V = 0.5V(Max)@ I = 2.0A, I = 0.2A CE(sat) C B Good Linearity of h FE Complement to Type 3CA772 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Suited for the output stage of 3 watts audio amplifier, voltage reg

Другие транзисторы: 3DA8E, 3DA80A, 3DA80B, 3DA80C, 3DA87A, 3DA87B, 3DA87C, 3DA87D, D667, 3DA96A, 3DA96B, 3DA96C, 3DA3902, 3DA3942, 3DA4002, 3DA5A, 3DA5B