3DA96C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA96C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
- Selección de transistores por parámetros
3DA96C Datasheet (PDF)
3da96.pdf

3DA96 NPN A B C PCM TC75 20 W ICM 2.5 A Tjm 175 Tstg -55~175 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=0.5A V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 70 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=20V 2.0 mA IC=1.5A VCEsat 2.0 V IB=0.3A VCE=5V hFE 10 IC=0.75A VCE=5V
3da76 3da10a 3da96.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9
Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 3CG21 | SBC328 | ZTX758 | HSE164 | BCX79-10 | MRF957T1
History: 3CG21 | SBC328 | ZTX758 | HSE164 | BCX79-10 | MRF957T1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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