3DA96C Todos los transistores

 

3DA96C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA96C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 70 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DA96C PDF detailed specifications

 9.1. Size:107K  china
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3DA96C

3DA96 NPN A B C PCM TC 75 20 W ICM 2.5 A Tjm 175 Tstg -55 175 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=0.5A V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 70 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=20V 2.0 mA IC=1.5A VCEsat 2.0 V IB=0.3A VCE=5V hFE 10 IC=0.75A VCE=5V ... See More ⇒

 9.2. Size:31K  shaanxi
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3DA96C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9... See More ⇒

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