3DA96C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DA96C  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DA96C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA96C даташит

 9.1. Size:107K  china
 3da96.pdf pdf_icon

3DA96C

3DA96 NPN A B C PCM TC 75 20 W ICM 2.5 A Tjm 175 Tstg -55 175 VCE=10V Rth 5.0 /W IC=0.5A V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 70 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICEO VCE=20V 2.0 mA IC=1.5A VCEsat 2.0 V IB=0.3A VCE=5V hFE 10 IC=0.75A VCE=5V

 9.2. Size:31K  shaanxi
 3da76 3da10a 3da96.pdf pdf_icon

3DA96C

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA76, 3DA10A, 3DA96 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards QZJ840611. GJB33 A-97, QZJ840611A also for 3DA9

Другие транзисторы: 3DA80C, 3DA87A, 3DA87B, 3DA87C, 3DA87D, 3DA882, 3DA96A, 3DA96B, BD222, 3DA3902, 3DA3942, 3DA4002, 3DA5A, 3DA5B, 3DA5C, 3DA5D, 3DA5E