3DA50E Todos los transistores

 

3DA50E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DA50E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de 3DA50E

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

3DA50E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:105K  china
 3da5038.pdf pdf_icon

3DA50E

3DA5038 NPN PCM TC=25 140 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~175 V(BR)CBO ICB=10mA 150 V V(BR)CEO ICE=10mA 150 V V(BR)EBO IEB=10mA 5 V ICBO VCB=Vcbo 1.0 mA ICEO VEB=0.5VCEO 1.0 mA IC=10A VCEsat 1.5 IB=2A VCE=5V hFE 55~80 IC=10A

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da50.pdf pdf_icon

3DA50E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA50NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features: 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

Otros transistores... 3DA5D , 3DA5E , 3DA5F , 3DA5G , 3DA50A , 3DA50B , 3DA50C , 3DA50D , D882 , 3DA50F , 3DA50G , 3DA5038 , 3DA5109 , 3DA56 , 3DA58A , 3DA58B , 3DA58C .

History: 2SA813S3 | 2N331

 

 
Back to Top

 


 
.