3DA50E - описание и поиск аналогов

 

3DA50E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DA50E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DA50E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DA50E - технические параметры

 9.1. Size:105K  china
 3da5038.pdf pdf_icon

3DA50E

 9.2. Size:25K  shaanxi
 3da50.pdf pdf_icon

3DA50E

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DA50 NPN Silicon High Frequency High Power Transistor Features 1. Excellent second breakdown capacity. Good characteristic frequency. 2. Amplification factor of small current is great. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for analog computer

Другие транзисторы... 3DA5D , 3DA5E , 3DA5F , 3DA5G , 3DA50A , 3DA50B , 3DA50C , 3DA50D , BC337 , 3DA50F , 3DA50G , 3DA5038 , 3DA5109 , 3DA56 , 3DA58A , 3DA58B , 3DA58C .

 

 
Back to Top

 


 
.