3DA58C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DA58C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO276AB TO220 TO257
3DA58C Datasheet (PDF)
3da58.pdf

3DA58 NPN A B C D E PCM TC=25 50 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 3.0 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=5mA 300 400 600 800 1000 V V(BR)CEO ICE=5mA 200 300 300 400 500 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=100V 0.1 mA ICEO VCE=
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 3DD167A | 2SD317 | 2SC3267GR | KRA108 | 2SC1471 | 2SD2465 | TI418
History: 3DD167A | 2SD317 | 2SC3267GR | KRA108 | 2SC1471 | 2SD2465 | TI418



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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