2N930UB Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N930UB
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: UB
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2N930UB datasheet
2n930 2n930ub.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/253L completed by 7 July 2011. 7 April 2011 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/253K 3 July 2008 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER, TYPES 2N930 AND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC, JANSM,
2n930 a.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N930 2N930A TO-18 Metal Can Package Low Noise Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL 2N930 2N930A UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 45 60 V VCBO Collector Base Voltage 45 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5 6 V IC Collector Current Continuous
Otros transistores... 2N6306T1 , 2N6306T3 , 2N6308T1 , 2N6308T3 , 2N916CSM , 2N916DCSM , 2N918ADCSM , 2N918DCSM , 8550 , 2N6338X , 2N6340X , 2N6341X , 2N6385SMD05 , 2N6517M , 3CG6517M , 2N6546T1 , 2N6546T3 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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