Биполярный транзистор 2N930UB - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N930UB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: UB
2N930UB Datasheet (PDF)
2n930 2n930ub.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this document shall be MIL-PRF-19500/253L completed by 7 July 2011. 7 April 2011 SUPERSEDING MIL-PRF-19500/253K 3 July 2008 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET * SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER, TYPES 2N930 AND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC, JANSM,
2n930 a.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS 2N9302N930ATO-18Metal Can PackageLow Noise TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL 2N930 2N930A UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 60 VVCBOCollector Base Voltage 45 60 VVEBOEmitter Base Voltage 5 6 VICCollector Current Continuous
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ