2N659 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N659
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 14 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO5
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2N659 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N6582 , 2N6583 , 2N6584 , 2N6585 , 2N6586 , 2N6587 , 2N6588 , 2N6589 , 2SD1555 , 2N6590 , 2N6591 , 2N6592 , 2N6593 , 2N6594 , 2N6595 , 2N6596 , 2N6597 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050