Справочник транзисторов. 2N659

 

Биполярный транзистор 2N659 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N659
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
 

 Аналог (замена) для 2N659

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N659 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:160K  bocasemi
2n6494 2n6594.pdfpdf_icon

2N659

ABoca Semiconductor Corp http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.com

 0.2. Size:151K  jmnic
2n6594.pdfpdf_icon

2N659

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL

 0.3. Size:117K  inchange semiconductor
2n6594.pdfpdf_icon

2N659

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top

 


 
.