2N659 - описание и поиск аналогов

 

2N659. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N659

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 14 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N659

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N659 даташит

 0.1. Size:160K  bocasemi
2n6494 2n6594.pdfpdf_icon

2N659

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 0.2. Size:151K  jmnic
2n6594.pdfpdf_icon

2N659

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 0.3. Size:117K  inchange semiconductor
2n6594.pdfpdf_icon

2N659

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings

Другие транзисторы: 2N6582, 2N6583, 2N6584, 2N6585, 2N6586, 2N6587, 2N6588, 2N6589, TIP142, 2N6590, 2N6591, 2N6592, 2N6593, 2N6594, 2N6595, 2N6596, 2N6597

 

 

 

 

↑ Back to Top
.