3CG6517M Todos los transistores

 

3CG6517M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG6517M
   Código: H3D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: SOT23
 
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3CG6517M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  foshan
 2n6517m 3cg6517m.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517M(3CG6517M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 300 mW CT 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(T

 7.1. Size:258K  lzg
 3cg6517.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517(3CG6517) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 625 mW CT 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(Ta=

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