Справочник транзисторов. 3CG6517M

 

Биполярный транзистор 3CG6517M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG6517M
   Маркировка: H3D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3CG6517M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  foshan
 2n6517m 3cg6517m.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517M(3CG6517M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 300 mW CT 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(T

 7.1. Size:258K  lzg
 3cg6517.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517(3CG6517) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 625 mW CT 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(Ta=

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: ZTX654 | ZTX214B | PBLS4003Y | 2SC5376F | UMB6N | SD451 | ZTX554

 

 
Back to Top

 


 
.