3CG6517M - описание и поиск аналогов

 

3CG6517M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG6517M

Маркировка: H3D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG6517M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG6517M даташит

 ..1. Size:264K  foshan
 2n6517m 3cg6517m.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517M(3CG6517M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(T

 7.1. Size:258K  lzg
 3cg6517.pdf pdf_icon

3CG6517M

2N6517(3CG6517) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 625 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(Ta=

Другие транзисторы: 2N918ADCSM, 2N918DCSM, 2N930UB, 2N6338X, 2N6340X, 2N6341X, 2N6385SMD05, 2N6517M, 2SB817, 2N6546T1, 2N6546T3, 2N6547T1, 2N6547T3, 2N6933, 2N6934, 2N6935, 2N6987U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.