2N6591 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6591  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 70 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO202

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2N6591 datasheet

 9.1. Size:160K  bocasemi
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2N6591

A Boca Semiconductor Corp http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp BSC http //www.bocasemi.com

 9.2. Size:151K  jmnic
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2N6591

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6591

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings

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