Справочник транзисторов. 2N6591

 

Биполярный транзистор 2N6591 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6591
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для 2N6591

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6591 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:160K  bocasemi
 2n6494 2n6594.pdf pdf_icon

2N6591

ABoca Semiconductor Corp http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.com

 9.2. Size:151K  jmnic
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6591

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
 2n6594.pdf pdf_icon

2N6591

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N1658-13 | 2N97A

 

 
Back to Top

 


 
.