2N6596 Todos los transistores

 

2N6596 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6596
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO33-1

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N6596

 

2N6596 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:160K  bocasemi
2n6494 2n6594.pdf

2N6596 2N6596

ABoca Semiconductor Corp http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.comABoca Semiconductor Corp BSC http://www.bocasemi.com

 9.2. Size:151K  jmnic
2n6594.pdf

2N6596 2N6596

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL

 9.3. Size:117K  inchange semiconductor
2n6594.pdf

2N6596 2N6596

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6594 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2N6569 Wide area of safe operation APPLICATIONS Designed for low voltage amplifier power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings

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Liste

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