2SC1815-O Todos los transistores

 

2SC1815-O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SC1815-O
   Código: C1815
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SC1815-O Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  toshiba
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2SC1815-O

2SC1815 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC1815 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mmDriver Stage Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)

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2SC1815-OMCC2SC1815-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC1815-GRCA 91311Phone: (818) 701-49332SC1815-BLFax: (818) 701-4939Features 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF NPN SiliconAmplifier and General Purpose Applications. Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.Epitaxial

 6.3. Size:168K  microelectronics
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History: KRC122S | 2N6208 | TI621 | DCX123JH | CK727 | DDTB113ZC | 2N1562

 

 
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