2SC1815-O - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SC1815-O
Маркировка: C1815
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SC1815-O
2SC1815-O Datasheet (PDF)
2sc1815-bl-gr-o-y.pdf
2SC1815-O MCC 2SC1815-Y Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components 2SC1815-GR CA 91311 Phone (818) 701-4933 2SC1815-BL Fax (818) 701-4939 Features 2SC1815 is NPN Silicon Epitaxial Transistor Designed for RF, AF NPN Silicon Amplifier and General Purpose Applications. Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. Epitaxial
Другие транзисторы... 2SC1740S-Q , 2SC1740S-R , 2SC1740S-S , 2SC1741S , 2SC1766GP , 2SC1815-BL , 2SC1815-GR , 2SC1815LT1 , B772 , 2SC1815-Y , 2SC1819M , 2SC1959-GR , 2SC1959-O , 2SC1959-Y , 2SC1623-L5 , 2SC1623-L6 , 2SC1623-L7 .
History: 2N5036 | BDX16
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent






