PMC3281 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMC3281 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 270 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 55
Encapsulados: TO3PL
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de PMC3281
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
PMC3281 datasheet
pmc3281.pdf
PMC3281 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR designed for power amplifier applications. TO-3PL MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 200 V Collector Emitter Voltage VCEO 200 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 15 A Base Current IB 1.5 A Collector power Dissipation Tc= 25 C PC 150 W Junction Temperature
Otros transistores... 2SC1623-L7, 2SC1645S, 2SC1008-G, 2SC1008-O, 2SC1008-R, 2SC1008-Y, 2SC1074S, 2SC1074S-TO3, C3198, PMC3356, PMC3358, PMC3907, PMC4106, PXT8050-C, PXT8050-D, PXT8050-D3, PXT8550-B
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 3N71
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent

